Estudios de perfiles de profundidad AES y fotoconductividad de películas delgadas de AgInS2 preparadas por co-evaporación

Resumen

En este trabajo se crecieron películas delgadas de AgInS2 con estructura tetragonal tipo calcopirita usando un procedimiento basado en la evaporación secuencial de precursores metálicos en presencia de azufre elemental, en un proceso en dos etapas. Se investigó el efecto de la temperatura de crecimiento y la proporción de la masa de Ag evaporada a la masa de In evaporada (mAg/mIn) sobre la fase y la homogeneidad en la composición química a través de medidas de difracción de rayos X y espectroscopía de electrones Auger. Estas medidas mostraron que las condiciones para
preparar películas delgadas que contengan únicamente la fase AgInS2, crecidas con estructura tipo calcopirita tetragonal y buena homogeneidad de la composición química en todo el volumen son temperatura de 500 °C y proporción mAg/mIn 0.89.  Las medidas de fotocorriente de transiente indicaron que el transporte eléctrico es afectado por procesos de recombinación, vía transiciones banda a banda y transiciones asistidas por trampas.